臨時鍵合/解鍵合 TBDB（Temporary Bond/De-Bond)
晶圓臨時鍵合主要利用鍵合膠或乾膜， 透過旋塗、噴塗或貼膜的方式塗佈於晶圓表面， 並在特定條件（溫度、壓力、真空度、UV 光照及時間）下， 使器件晶圓與載片基板完成鍵合，隨後進行器件晶圓的減薄製程。
由於晶圓減薄至一定厚度後，已不足以提供足夠的機械支撐， 因此需藉由鍵合載片基板以完成後續製程。
在完成器件晶圓背面製程後，進行 解鍵合（Thermal Sliding / Laser Debonding）， 將鍵合晶圓加熱至鍵合膠軟化溫度， 並在真空吸盤作用下，或透過雷射解鍵合方式， 使器件晶圓自載片基板分離， 最後完成器件晶圓與載片晶圓的清洗製程。
臨時鍵合/解鍵合流程 TBDB Process Flow
MGC-300TB
- Wafer/Substrate size: Silicon.SiC.Glass.Sapphire(6”.8”.12”)
- Loading/Unloading Port: 3/4
- Adhesive: Liquid/UV Cure Type
- Alignment: Mechanical/CCD Vision
- Wafer Hostage:Vacuum mechanical/E-chuck
- Heating: RT–Max.500°C
- Process Force: 50N-150KN
- Wafer Center X.Y shift: < ±30um
- Theta shift < 0.1°
- TTV :<3um
- Wafer Warpage: <4mm
MGC-DB300+De-Bonder
Application:
Temporary bonding / COWOS / Fan out / RDL / Wafer Thinning /
Micro LED / TSV / TGV
Special Function:
Chuck level adjustment by Recipe
Laser pattern by Recipe
Laser: 355 nm
Throughput (300mm):
6–8 pcs/hour; 25 pcs (3M)